Tipo | Piatto chiaro del quarzo |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
spessore | 0.5-100mm |
Forma | Piazza |
Servizio di elaborazione | Piegamento, saldando, perforando, tagliare, lucidante |
Tipo | Piatto chiaro del quarzo |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
spessore | 0.5-100mm |
Forma | Piazza |
Servizio di elaborazione | Piegamento, saldando, perforando, tagliare, lucidante |
Nome di prodotto | Metropolitana del quarzo |
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Materiale | Sio2 |
Purezza | 99,99% |
Tipo materiale | JGS1/JGS2/JGS3 |
Temparature di lavoro | 1200℃ |
Tipo | Piatto di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0,5-100 mm |
Forma | Piazza |
Servizio di elaborazione | Piegatura, Saldatura, Punzonatura, Taglio, Lucidatura |
Tipo | Placca di quarzo ghiacciato |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Passo |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
Tipo | Placca di quarzo ghiacciato |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Passo |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1200℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |