| Materiale | SiO2 |
|---|---|
| Durezza | morse 6,5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
| Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Materiale | SIO2>99,99% |
|---|---|
| Densità | 2,2 g/cm3 |
| Trasmittanza della luce | 92% |
| Durezza | morso 6.5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Tipo | Piatto di quarzo trasparente |
|---|---|
| Applicazione | Semiconduttore, ottico |
| Spessore | 0,5-100 mm |
| Forma | Piazza |
| Servizio di elaborazione | Piegatura, Saldatura, Punzonatura, Taglio, Lucidatura |
| Materiale | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densità | 2,2 (g/cm3) |
| Trasmissione leggera | >92% |
| Durezza | Morse 6,5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Materiale | SiO2 |
|---|---|
| Temparature di lavoro | 1200℃ |
| Punto della colata | 1850℃ |
| forma | Quadrato/rotondo/qualsiasi forma |
| Spessore | 1mm-50mm |
| Materiale | 99,99% |
|---|---|
| Trasmissione leggera | 92% |
| Densità | 2.2g/cm3 |
| Temparature di lavoro | 1100℃ |
| Durezza | Morse 6,5 |
| Materiale | SiO2 |
|---|---|
| Durezza | Morse 6,5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
| Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Materiale | 99,99% |
|---|---|
| Trasmissione leggera | 92% |
| Densità | 2.2g/cm3 |
| Temparature di lavoro | 1100℃ |
| Durezza | Morse 6,5 |
| Materiale | SiO2 |
|---|---|
| Durezza | Morse 6,5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
| Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Materiale | SiO2 |
|---|---|
| Durezza | Morse 6,5 |
| Temperatura di lavoro | 1100℃ |
| Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
| Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |