Tipo | Piatto di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0,5-100 mm |
Forma | Piazza |
Servizio di elaborazione | Piegatura, Saldatura, Punzonatura, Taglio |
Tipo | Piatto di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0,5-100 mm |
forma | quadrato |
Elaborazione del servizio | Piegatura, Saldatura, Punzonatura, Taglio, Lucidatura |
Tipo | Piatto di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100mm |
Forma | Quadrato |
Elaborazione del servizio | Piegatura, Saldatura, Punzonatura, Taglio, Lucidatura |
Materiale | SiO2 |
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Densità | 2.2g/cm3 |
Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Trasmissione UV | 80% |
Materiale | 99,99% |
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Trasmissione leggera | 92% |
Densità | 2.2g/cm3 |
Temparature di lavoro | 1100℃ |
Durezza | Morse 6,5 |
materiale | SIO2>99.999% |
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densità | 2,2 (g/cm3) |
Trasmissione leggera | >92% |
Durezza | Morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Tipo | Piatto chiaro del quarzo |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100mm |
Forma | Quadrato |
Elaborazione del servizio | Piegamento, saldare, perforante, taglio |
Tipo | Piatto chiaro del quarzo |
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applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100mm |
Forma | Quadrato |
Elaborazione del servizio | Piegamento, saldando, perforando, tagliare, lucidante |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |
Materiale | SiO2 |
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Durezza | morse 6,5 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Qualità di superficie | 20/40 o 40/60 |
Forza di Dieletric | 250~400Kv/cm |