materiale | SIO2>99.99% |
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densità | 2.2g/cm3 |
Durezza | Morse 6,5 |
Punto della colata | 1750-1850℃ |
Temperatura di lavoro | 1110℃ |
Tipo | portatore di wafer di quarzo |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrato |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
Tipo | Placca di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Misto |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
Tipo | Placca di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Arco |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
Tipo | Placca di quarzo trasparente |
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Applicazione | Semiconduttore, ottico |
Spessore | 0.5-100 mm |
Forma | Quadrato/giro |
Servizio di elaborazione | Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8528 |
SiO2 | 99,99% |
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Temparature di lavoro | 1200℃ |
Punto della colata | 1750-1850℃ |
Uso | Laboratorio, biologia, medica |
Colore | Trasparente |
Materiale | SIO2>99.99% |
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Densità | 2.2g/cm3 |
Durezza | Morse 6,5 |
Punto della colata | 1750-1850℃ |
Temperatura di lavoro | 1110℃ |
Nome di prodotto | Recipiente di reazione del laboratorio |
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Materiale | SIO2>99.9% |
Densità | 2.2g/cm3 |
Tolleranza acida | 30 volte che ceramica, 150 volte che acciaio inossidabile |
Punto della colata | 1750℃ |
Nome di prodotto | Recipiente di reazione del laboratorio |
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Materiale | SIO2>99.9% |
Densità | 2.2g/cm3 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |
Tolleranza acida | 30 volte che ceramica, 150 volte che acciaio inossidabile |
Nome | Flangia del quarzo della silice fusa |
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Caratteristica | Dimensione accurata |
Applicazione | Radiatore |
Densità | 2.2g/cm3 |
Temperatura di lavoro | 1100℃ |